第141章 你怎么这么久（1 / 2）

想了想，周启仁决定不去吃午茶，跟玛格丽说了句“我还有论文要写”，然后便匆匆的回实验室了。

接下来两天，周启仁就跟着了魔一样，有生物电的辅助，用双渗杂技术和垂直冷却法拉出了硅和锗，制作出了十个纯度不是很高的锗基NPN结式晶体管和锗片上的集成电路，其中的晶体管和被动元件是用铝条连接起来的。

这种最简单的集成电路离前世动辄纳米级的芯片还有十万八千里，但是离自己的登月计划更近了一步。

1947年12月23日，美国贝尔实验室正式地成功演示了第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管，标志着现代半导体产业的诞生和信息时代的开启。晶体管可以说是20世纪最重要的发明，到今天已经两年多了。

从实用的角度来看，点接触式晶体管的产量非常有限，不能算是商业上的成功；周启仁制造出来的这个结式晶体管却使得现代半导体工艺成为可能，为许多半导体公司的兴起做出了重大贡献。

半导体科技的发展是材料、物理和器件这三者相互促进、相辅相成的结果：为了制作性能好的器件，需要了解材料的物理特性以及相应的物理过程和规律，而这又需要可靠的仪器来测量质量足够好的材料。

半导体科学研究始于19世纪初叶，那时候研究的都是自然界里的材料(矿石晶体)。

1833年，法拉第在研究硫化银的电导时，第一次观察到电阻的负温度系数。

1873年，史密斯在体材料硒中发现光电导效应。

1874年，布劳恩在一些金属硫化物表面发现了整流效应。

1876年，亚当斯和戴伊在硒材料里发现了光伏效应。

1879年，霍尔发现了现在所谓的“霍尔效应”，并在某些材料中发现了带有正电荷的载流子。

也就是说，在晶体管发明之前70年，人们已经发现了半导体材料的几大基本特性：电阻率的负温度系数和光电导效应(都是体材料的效应)，光伏效应和整流效应(某种半导体与其他材料之间的接触效应)，存在正电荷的载流子(这就是半导体中的“空穴”)。

在这个时期，人们既不理解决定材料特性的基本理论，也不能自己制备高质量的材料，表征技术也很粗糙，只能用试错法来摸索。

此后的研究取得了一定的进展，特别是发明了基于金属-半导体材料接触的整流器，在无线电通讯中发挥了重要作用，布劳恩也因此(与马可尼一起)获得了1909年的诺贝尔物理学奖。

真正的转折出现在1926年新量子力学理论诞生以后。