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第1013 星辰大海,脑机互联(1 / 2)

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下午的会议,郑振川就没有再参加了。

但远芯对半导体行业的讨论仍然在继续。

“过去十几年,我们一直在和intel比工艺,截止去年,我们都已经走到了成熟的45nm节点上。”张汝金戴上了老花镜,瞥了一眼手中的文件,脸上是不甚唏嘘的感慨:“不得不说, intel还是很厉害的,我们每次有领先,他们总是能够及时的追上来甚至还能反超。”

“摩尔定律就是这么实现的。”苏远山笑着补充了一句。

“是啊,但今年我们可以提前一大步了。”张汝金笑呵呵地望向众人,但主要的视线还是停在苏远山的脸上。

毕竟,这与会的多人里,还是苏远山对半导体工艺理解得最深刻。

“最迟年中,我们就可以推出基于22nm的finfet工艺, 把晶圆的晶体管密度再上一个台阶。而且我们目前的de技术已经成熟,目前正在向sadp技术转移,从技术的角度,是可以支撑我们的工艺在duv的条件下把制程继续往下探,或者说,等效制程往下探。”

//de(double exposure,双重曝光),sadp(self-aligned double patterning自对准双重成像)

“如果intel跟不上,那这将会是一次巨大的领先!”张汝金红光满脸,终于忍不住有些激动起来:“制程进入到22nm之后,finfet将会是唯一的选择,最起码目前是。”

在场的众人并不是每个人都对半导体工艺有理解, 见到身边的周小慧露出迟疑的神色,苏远山就轻轻咳了一声,笑着替她解释道:“目前的电脑芯片一直采用mosfet结构, 嗯……准确的说, 是npn结构……”

见周小慧还是有些不懂,苏远山便放弃了解释, 直接道:“反正就是, 我们以前所说的制程就是指的mosfet结构中的沟道长度。沟道越短,电阻越小,性能越高,同时晶体管密度也就越大,所以才要不断提升制程。”

“哦?然后呢?”

“然后就是如果还是沿用以前mosfet结构的话,当沟道长度越来越短,譬如22nm之后,源极和漏极之间也会越来越近,电场也越来越近。”苏远山说着伸出双手靠近,然后把自己的笔记本放在手上:“我的两只手就是源极和漏极,电流从源极流入,漏极流出,并产生电场,当它们距离过近,就会干扰到上面的栅极,从而漏电——我们把这个效应称为短沟道效应。”

“而finfet结构就是为了解决这个问题而诞生的,甚至还因为它的结构是把晶体管竖了起来——譬如我竖起了手掌——从而可以获得更高的晶体管密度之外, 还能很好地解决短沟道效应。所以, 从目前来看,22nm是今后高性能芯片是否采用finfet结构的一个分水岭。”

“等效制程呢?”

“等效制程就是,在finfet结构下的晶体管数量,按照mosfet结构来算的话,需要多少的制程才能达到。譬如一个芯片采用finfet结构,有100亿个晶体管。用mosfet结构的话,要达到100亿个晶体管,沟道长度需要缩短到14nm——于是我们就认为这款芯片的等效制程是14nm。”

“懂了吧?”苏远山目光灼灼地看着周小慧。

周小慧抿嘴一笑:“不是很懂。”

苏远山:“……”

对面的一群人便乐了起来,丁垒一边笑着一边打趣道:“感觉梦回90年的课堂。”

“好吧,反正只需要知道这个工艺很有意义,十分有意义。”

“那能拿北极星么?”周小慧眨了眨眼,好奇地问道。

然后众人便齐齐地望向苏远山。

北极星已经开了两届,而且和当期的诺奖装车率极高,这一下就拉高了北极星的“逼格”。

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